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  • Intel 自曝:3nm 工藝良率、性能簡直完美!

    時(shí)間:2023-07-31 14:35:24 來源: 驅(qū)動之家



    (資料圖片僅供參考)

    Intel 將在下半年發(fā)布的 Meteor Lake 酷睿 Ultra 處理器將首次使用 Intel 4 制造工藝,也就是之前的 7nm,但是 Intel 認(rèn)為它能達(dá)到 4nm 級別的水平,所以改了名字。

    再下一步就是 Intel 3,也就是早先的 5nm,號稱能效可提升 18%。

    Intel CEO 帕特 · 基辛格近日披露,Intel 3 工藝在今年第二季度就達(dá)成了缺陷密度、性能的里程碑,將如期達(dá)到良率、性能的整體目標(biāo),明年上半年首先應(yīng)用于 Sierra Forest ( 首次純小核設(shè)計(jì) ) ,緊接著很快就會用于 Granite Rapids ( 純大核 ) 。

    Sierra Forest、Granite Rapids 應(yīng)該都會劃入第六代可擴(kuò)展至強(qiáng)序列,而今年底還有個(gè)第五代的 Emerald Rapids,制造工藝和現(xiàn)在的第四代 Sapphire Rapids 一樣都是 Intel 7。

    Intel 3 工藝似乎不會用于消費(fèi)級產(chǎn)品,至少目前沒看到相關(guān)規(guī)劃,它更多針對數(shù)據(jù)中心產(chǎn)品優(yōu)化。

    多次曝光的 Granite Rapids

    再往后的 Arrow Lake,將會首次引入 Intel 20A 工藝,也就是相當(dāng)于 2nm 級別。

    基辛格表示,Intel 20A 工藝將第一次使用 RibbonFET、PowerVia 技術(shù),大規(guī)模用于消費(fèi)級產(chǎn)品,目前正在晶圓廠內(nèi)進(jìn)行第一步。

    就在不久前,Intel 宣布,率先在代號為 "Blue Sky Creek" 產(chǎn)品級測試芯片上實(shí)現(xiàn)了背面供電技術(shù)。

    該技術(shù)能顯著提高芯片的使用效率,同時(shí)晶體管體積大大縮小,單元密度大大增加,因此能顯著降低成本,還將平臺電壓降低了 30%,并帶來了 6%的頻率增益。

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